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[咨询求助] 关于使用Sentaurus TCAD进行总剂量仿真

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发表于 2019-11-29 15:14:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
5E币
(1)总剂量仿真是需要添加陷阱模型,可是SiO2无法添加,是需要将它的材料变成Si,然后再把对应区域的参数改成SiO2吗?
(2)如果使用上述的模型进行单粒子仿真,那么因为材料变成了Si,所有漏电流肯定比以前的大,这个该如何解决呢?

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