关于亚阈区sub-threshold

gsi

小弟初来咋到，对sub-threshold的概念不了解。
此外，电路工作在这种状态有什么优缺点？

yiting

就是大体分三个区, weak inversion, moderate inversion和strong inversion
具体的划分方法是要计算一下inversion coefficient，有个公式，一时记不起来了，应该是与Vgs和W/L有关的
MOS工作在strong inversion，inversion coefficient大于10，表现为MOS特性，Vgs>Vt
MOS工作在weak inversion的时候，inversion coefficient小于0.1，Vgs<Vt，有电荷积累，但沟道没有很好的形成，表现的是bipolar特性。
在这种状态下噪声低，gm大，overdrive低，比使用bi-cmos工艺经济

qingti

亚阈值区的gm通常不会做得很大，因为通常要管子特别是输入管工作在亚阈值都是在小电流大尺寸的前提下，但是面积和Cgs的限制，尺寸不会很大，所以电流也就相对更小，gm就上不去。