问一个关于版图的问题

gingji

关于版图器件隔离的问题，通常有两种方法，一种是LOCOS隔离，一种是STI隔离，请问这两种方法各有什么优缺点呢？从版图的截面结构来看，有什么区别呢？

夜月

区别

LOCOS是用Field Oxide来做隔离，STI是深槽隔离。
LOCOS用SiN+SiO2等工艺制作，STI要深槽刻蚀+Oxide+Poly等工艺来完成。
LOCOS占面积大大，STI面积小，但工艺复杂。
从剖面来看看：LOCOS象个鸟嘴，而STI是个槽结构，然后用SiO2+Poly填充。
先进制程多用STI工艺，面积小，另外可以做高电阻等……